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半導體傳統封裝與先進封裝的對比與發展
發布時間:2025/07/30 10:53

半導體傳統封裝與先進封裝的分類及特點

一、傳統封裝技術(成熟工藝,結構相對簡單)

1雙列直插封裝(DIPDual In-line Package

特點:引腳從封裝兩側直插而出,便于手工焊接和維修,成本低;但引腳間距大(如 2.54mm),集成度低,占用 PCB 面積大。

應用:早期邏輯芯片、存儲器、中小規模集成電路。

2小外形封裝(SOPSmall Outline Package

特點:封裝體薄,引腳呈 “L” 型向外延伸,體積比 DIP 小,引腳間距縮小至 1.27mm 或更小,集成度提升。

衍生類型

薄型小外形封裝(TSOPThin SOP:厚度更薄,適用于內存芯片(如 DRAM)。

收縮型小外形封裝(SSOPShrink SOP:引腳間距更小(如 0.65mm),進一步縮小體積。

應用:消費電子、汽車電子中的中等集成度芯片。

3四面貼裝封裝(QFPQuad Flat Package

特點:四邊均有引腳,呈 翼型向外展開,引腳數量可達數百個,集成度較高,適用于高性能芯片。

衍生類型

薄型 QFPTQFP:厚度減薄至 1.0mm 以下。

塑料 QFPPQFP:采用塑料封裝,成本更低。

應用:早期微處理器、ASIC 芯片、數字信號處理器(DSP)。

4針柵陣列封裝(PGAPin Grid Array

特點:引腳以陣列形式分布在封裝底部,呈針狀插入 PCB 插座,引腳數量多(如數百至數千),散熱和電氣性能較好。

應用:早期高性能處理器(如 Intel Pentium 系列)、大型計算機芯片。

真空壓力除泡系統

二、先進封裝技術(高集成度、三維互連、異構集成)

1倒裝芯片封裝(Flip-Chip

特點:芯片面朝下,通過凸點(Bump)直接焊接到基板上,互連距離短,信號傳輸速度快,熱性能好,集成密度高。

關鍵工藝:底部填充(Underfill)用于緩解芯片與基板的熱應力差異,提高可靠性。

應用:高端處理器(如 CPUGPU)、射頻芯片、圖像傳感器。

2球柵陣列封裝(BGABall Grid Array

特點:封裝底部以焊球陣列代替引腳,焊點分布更均勻,可承載更多 I/O 接口,電路板布局密度高,信號完整性好。

衍生類型

倒裝 BGAFC-BGA:結合倒裝芯片技術,進一步縮短互連距離。

陶瓷 BGACBGA:散熱性能優異,適用于高可靠性場景。

應用:智能手機處理器、網絡芯片、FPGA

3晶圓級封裝(WLPWafer Level Package

特點:在晶圓切割前完成封裝,封裝尺寸與芯片尺寸接近(Fan-in WLP)或超出(Fan-out WLP),實現 芯片即封裝,成本低、體積小。

類型

扇入型 WLPFan-in WLP:封裝尺寸芯片尺寸,適用于 I/O 較少的芯片(如傳感器、射頻芯片)。

扇出型 WLPFan-out WLP:通過重布線技術擴展 I/O,封裝尺寸 > 芯片尺寸,適用于邏輯芯片、存儲器。

應用:手機攝像頭芯片、指紋傳感器、藍牙芯片。

4三維封裝(3D Packaging

特點:通過垂直堆疊芯片,利用 TSV(硅通孔)、微凸點等技術實現層間互連,集成度極高,功耗和延遲降低。

類型

芯片堆疊(Chip Stacking:同類型芯片堆疊(如存儲器堆疊)。

混合鍵合(Hybrid Bonding:結合銅 - 銅鍵合與介質鍵合,實現高密度互連。

應用:高帶寬存儲器(HBM)、AI 芯片、圖像處理芯片。

5系統級封裝(SiPSystem in Package

特點:在單一封裝內集成多個芯片(如 CPUGPU、存儲器、射頻芯片等)和無源器件,實現系統級功能,減小整機體積。

技術亮點:異構集成(不同工藝芯片混合封裝)、埋置技術(將芯片嵌入基板)。

應用:物聯網模塊、穿戴設備芯片、汽車電子控制單元(ECU)。

6Chiplet(芯粒)封裝

特點:將復雜芯片拆分為多個功能模塊(芯粒),通過先進封裝技術(如 EMIBCoWoS)互連,降低設計成本,提升良率。

應用:高性能計算芯片(如 AMD EPYCIntel Xeon)、AI 加速器。

72.5D 封裝

特點:通過中介層(Interposer)連接多個芯片,實現水平方向高密度互連,典型如 TSMC CoWoSChip on Wafer on Substrate)、Intel EMIBEmbedded Multi-die Interconnect Bridge)。

應用:高端 AI 芯片、數據中心 GPU(如 NVIDIA H100AMD MI300)。

晶圓級真空貼壓膜系統

三、傳統封裝與先進封裝的核心區別

維度

傳統封裝

先進封裝

互連方式

引腳或引線鍵合(Wire Bonding

倒裝凸點、TSV、銅 - 銅鍵合等

集成度

單一芯片或簡單功能集成

多芯片異構集成、三維堆疊

性能

信號延遲長、功耗高

高速互連、低功耗、高散熱效率

應用場景

消費電子低端產品、工業控制

高端處理器、AI5G、汽車電子等

先進封裝通過三維結構、異構集成和高密度互連技術,突破了傳統封裝在性能和集成度上的限制,成為半導體行業應對 摩爾定律放緩的關鍵技術方向。


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